Transistor MOSFET / Doble Puerta / Canal N / 105 MHz / Encapsulado TO-18
- Doble puerta para alta eficiencia energética
- Canal N para control preciso del flujo eléctrico
- Operación optimizada hasta 105 MHz
- Encapsulado TO-18 compacto y robusto
- Alto aislamiento con tecnología de interfaz avanzada
- Diseño especializado para aplicaciones de alta frecuencia
- Doble puerta para alta eficiencia energética
- Canal N para control preciso del flujo eléctrico
- Operación optimizada hasta 105 MHz
- Encapsulado TO-18 compacto y robusto
- Alto aislamiento con tecnología de interfaz avanzada
- Diseño especializado para aplicaciones de alta frecuencia
El componente MFE130 de SYSCOM es la solución ideal para sistemas electrónicos que demandan alto rendimiento en aplicaciones de frecuencia elevada. Este transistor de doble puerta con canal N garantiza control preciso del flujo eléctrico, alcanzando operación estable hasta 105 MHz. Su encapsulado TO-18 compacto lo hace perfecto para circuitos industriales, equipos de telecomunicaciones y dispositivos de automatización que requieren máxima eficiencia energética. La tecnología de interfaz avanzada proporciona excelente aislamiento, asegurando durabilidad y confiabilidad en ambientes exigentes. Respaldado por garantía de 3 años, este transistor es tu mejor aliado para proyectos que no pueden fallar. Consulta disponibilidad y especificaciones técnicas con nuestro equipo especializado.